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安森美半导体扩充应用于工业电机驱动的产品阵容

2020-04-30 09:25:29 来源:控制工程网 点击:429

【大比特导读】公司同时推出NFAM2012L5B和NFAL5065L4B,扩充了智能功率模块(IPM)产品阵容,包括额定电压650 V和1200 V,以及额定电流10 A至75 A。

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),继续扩充用于工业电机驱动应用的产品阵容,以进一步帮助客户解决他们的具体设计挑战。电机驱动系统正随着工业自动化及机械人激增。这些系统要求在恶劣工业环境中达到高能效、精准的测量、准确的控制及高可靠性。要有效地开发应用于工业电机驱动的半导体,需要先进的设计、集成有源和无源器件的能力、精密的封装包括基板材料,以及高质量和可靠性标准。

工业电机

安森美半导体推出NXH25C120L2C2,NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E,分别为25、35和50安培(A)版本的转移成型功率集成模块(TM-PIM),用于1200伏(V)的应用,提供转换器-逆变器-制动(CIB)和转换器-逆变器(CI)配置版本。这些模块包括6个1200 V IGBT、6个 1600 V 整流器和一个用于系统级温度监控的负温度系数(NTC)热敏电阻。CIB版本使用一个附加的1200 V IGBT和一个二极管。新推出的模块采用转移成型封装,延长温度及功率的循环寿命。模块尺寸仅为73 x 40 x 8毫米(mm),具有可焊接引脚,CIB和CI版本均具有一个标准化的引脚输出。

公司同时推出NFAM2012L5B和NFAL5065L4B,扩充了智能功率模块(IPM)产品阵容,包括额定电压650 V和1200 V,以及额定电流10 A至75 A。这些三相逆变器集成了额定短路的沟槽型绝缘门双极晶体管(Trench IGBT)、快速恢复二极管、门极驱动器、自举电路、可选的NTC热敏电阻和保护,通过一个额定2500 Vrms /分钟的隔离提供紧凑可靠的模块,获UL1557认证。这些IPM具有直接键合铜基板和低损耗硅的特性,延长功率循环寿命和散热能力。

通过片上电流隔离,NCD57000和NCD57001 IGBT门极驱动器透过减低系统复杂性实现紧凑、高效和可靠的门极驱动器设计。这些器件分别提供4 A/6 A供应电流和汲取电流,同时还集成了去饱和(DESAT)、米勒钳位、欠压锁定(UVLO)保护、使能(Enable)和稳压VREF。

NCS21871零漂移运算放大器以一个45 μV低输入偏置电压提供精确的信号调节,同时从-40°C至+125°C维持该精度,低输入偏置漂移为0.4 μV /°C。这些参数使其非常适合用于低边电流检测。

NCP730 LDO稳压器提供150 mA,输出电压精度为±1%,工作输入电压范围从2.7 V至38 V和具有低压降。集成的软启动可抑制涌入电流,在过载情况下提供短路和过热保护,使器件非常适合用于工业自动化应用。

 

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